Semiconducteur

"semiconducteur" dans l'encyclopédie

• PREMIERS BREVETS DE CIRCUITS INTÉGRÉS

  • Écrit par Pierre MOUNIER-KUHN
  • 1 582 mots

   Kilby de la société Texas Instruments (brevet en 1959) – qui utilise le germanium comme semiconducteur – et, parallèlement, par l'Américain Robert Noyce de la société Fairchild (brevet 1959) qui, lui, emploie le silicium. Ainsi, au lieu de souder individuellement chaque transistor sur une plaque pour former un circuit, on grave l'ensemble du circuit sur une pastille homogène de semiconducteur.

• PHOTOÉLECTRIQUE EFFET

  • Écrit par Pierre VERNIER
  • 29 707 mots
  • 2 médias

  Les jonctions n-p, jonctions entre un semiconducteur n et un semiconducteur p, présentent une résistance élevée lorsque la polarisation tend à faire passer le courant du côté n vers le côté p (polarisation inverse). La résistance est localisée dans une mince zone de transition entre la partie n et la partie p. Si la disposition géométrique permet d'éclairer la jonction, celle-ci, polarisée en inverse, se conduit comme une photorésistance.

• KLITZING KLAUS VON (1943- )

  • Écrit par Bernard PIRE
  • 1 694 mots

  Lorsqu'un courant d'intensité i passe dans un semiconducteur soumis à un champ magnétique orthogonal, une tension VH, dite de Hall, apparaît dans la direction perpendiculaire à ces deux axes. En 1980, von Klitzing montra que, dans certains matériaux où le gaz d'électrons est effectivement bidimensionnel, la résistance de Hall (définie comme le rapport VH/i ) est quantifiée selon RK/n, où n est un entier et RK est la résistance de von Klitzing (égale à h/e2).

• KROEMER HERBERT (1928- )

  • Écrit par Bernard PIRE
  • 2 269 mots

  C'est dans le cadre du laboratoire de la compagnie Varian Associates à Palo Alto (Californie) qu'il dépose en 1963 le brevet décrivant le fonctionnement des lasers à semiconducteur à double hétérostructure, une semaine après la demande similaire de Zhores I. Alferov en ex-U.R.S.S. Mais on ne lui permet pas d'approfondir ses recherches sur ce sujet qui ne semble guère porteur d'applications à l'époque.

• LASERS

  • Écrit par Yves LECARPENTIER et Alain ORSZAG
  • 59 076 mots
  • 4 médias

  L'ensemble des électrons du semiconducteur va donc « remplir » progressivement ces états, et on montre que ceux-ci seront occupés jusqu'à un niveau limite, appelé niveau de Fermi, d'énergie EF. Le « dopage » d'un semiconducteur consiste à lui ajouter des atomes possédant à leur périphérie un électron de plus ou de moins que le nombre de ceux du matériau de base.