BRATTAIN WALTER HOUSER (1902-1987)

Né le 10 février 1902 à Amoy (Chine), Walter Houser Brattain passa sa jeunesse dans l'État de Washington (États-Unis) et fit ses études supérieures à l'université de l'Oregon puis à celle du Minnesota, où il soutint sa thèse en 1929. Il fit ensuite toute sa carrière aux laboratoires de la compagnie Bell Telephone de Murray Hill (New Jersey), travaillant d'abord sur l'émission thermo-ionique du tungstène, puis sur les effets de surface des semi-conducteurs, en particulier dans le cas du silicium et du germanium.

La découverte de l'effet du rayonnement sur la surface libre d'un semi-conducteur participait d'un effort coordonné d'étude des semi-conducteurs au sein des laboratoires Bell, à partir de 1946, sous la direction de William Shockley. L'étude et la fabrication des semi-conducteurs avaient beaucoup progressé pendant la Seconde Guerre mondiale, et on savait produire des polycristaux relativement purs de silicium et de germanium dont on pouvait contrôler les propriétés électriques par l'introduction de quantités adéquates d'impuretés. En 1947, Brattain réussit à mesurer le potentiel de contact d'un cristal de germanium et sa variation lorsqu'il était illuminé. Il observa en particulier un effet important lorsqu'un liquide diélectrique comblait l'espace entre l'électrode et la surface du semi-conducteur. Avec John Bardeen, le théoricien du groupe, il mit au point un montage qui donna en 1948 la première indication de l'effet transistor : une tension positive appliquée sur une goutte d'or à la surface d'un cristal de germanium de type n donne naissance à un courant « inverse » d'autant plus intense que la valeur de la tension appliquée est grande. Une connexion par une impédance élevée permettait d'obtenir une tension supérieure à la tension appliquée. Le brevet de ce transistor à pointes fut déposé le 17 juin 1948, mais des difficultés liées à sa fragilité et à des problèmes de bruits de fond firent qu'il fut peu utilisé et qu'on lui préféra le transistor à jonctions développé trois ans plus tard. Le prix Nobel de physique que Brattain partagea en 1956 avec Bardeen et Shockley célébrait la naissance de ces composants qui allaient révolutionner l'industrie électronique.

Walter Houser Brattain est mort le 13 octobre 1987 à Seattle (États-Unis).

— Bernard PIRE