Microélectronique : transistor à effet de champ.
Transistor à effet de champ. En a, principe de fonctionnement d'un transistor à effet de champ. Le passage de courant dans un « canal » conducteur est contrôlé par un champ électrique appliqué par une électrode (la « grille ») placée au-dessus du canal. Ce dernier est constitué par un semiconducteur. Un champ électrique, créé par une tension positive appliquée sur la grille, attire les électrons dans le canal, qui devient alors conducteur. On a alors réalisé un interrupteur « solide ». En b, réalisation d'un tel transistor en silicium, le MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor). Le canal est constitué d'un semiconducteur « dopé » p (pour positif), c'est-à-dire de silicium comportant des impuretés (dopants) « acceptrices » d'électrons, par rapport aux régions des électrodes source et drain qui sont dopées n (silicium contenant des impuretés « donneuses » d'électrons). Cette configuration développe des barrières d'énergie entre source, drain et canal. Sans tension appliquée sur la grille, il n'y a pas d'électrons dans le canal, car leur énergie potentielle y est trop élevée. Le courant ne passe donc pas. Un champ électrique, créé par une tension positive appliquée sur la grille, abaisse l'énergie potentielle des électrons dans le canal et y attire des électrons des zones n. Le canal devient conducteur. En c, représentation schématique de l'énergie potentielle des électrons le long du canal.
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